国度常识产权局信息显现，北京朔方华创微电子装备有限公司苦求一项名为“上电极结构及半导体工艺开荒”的专利，公开号CN121662694A，苦求日历为2024年9月。

专利摘记显现，本发明提供一种上电极结构及半导体工艺开荒，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴朝上与射频线圈相对诞生，且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导电感应环中的一个在另一个的径向平面上的正投影知足：射频线圈和导电感应环中的一个的至少部分位于另一个的外旯旮内。本发明提供的上电极结构及半导体工艺开荒，对晶圆刻蚀均匀性的改善鸿沟较大，改善智商较强，SuncityGroup好像使晶圆旯旮的刻蚀速度与晶圆中心区域的刻蚀速度彰着接近。

天眼查贵府显现，北京朔方华创微电子装备有限公司，设置于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册成本114153.708311万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，北京朔方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标口头1393次，财产痕迹方面有商标信息67条，专利信息5000条，此外企业还领有行政许可340个。

声明：商场有风险，投资需严慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不组成个东谈主投资冷落。

本文源自：商场资讯

作家：谍报员